| SIHG30N60E-E3 | |
|---|---|
| অংশ সংখ্যা | SIHG30N60E-E3 |
| উত্পাদক | Vishay Siliconix |
| বিবরণ | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC |
| পরিমান সরবরাহযোগ্য | 2612 pcs new original in stock. অনুরোধ স্টক এবং কোটেশন |
| ইসিএডি মডেল | |
| datasheets | 1.SIHG30N60E-E3.pdf2.SIHG30N60E-E3.pdf3.SIHG30N60E-E3.pdf |
| SIHG30N60E-E3 Price |
অনুরোধ মূল্য এবং লিড সময় অনলাইন or Email us: Info@ariat-tech.com |
| SIHG30N60E-E3 প্রযুক্তিগত তথ্য | |||
|---|---|---|---|
| প্রস্তুতকারক পার্ট সংখ্যা | SIHG30N60E-E3 | বিভাগ | |
| উত্পাদক | Vishay / Siliconix | বিবরণ | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC |
| প্যাকেজ / কেস | TO-247AC | পরিমান সরবরাহযোগ্য | 2612 pcs |
| Vgs (ত) (সর্বোচ্চ) @ আইডি | 4V @ 250µA | Vgs (সর্বোচ্চ) | ±30V |
| প্রযুক্তি | MOSFET (Metal Oxide) | সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | TO-247AC |
| ক্রম | - | আরডিএস অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিএসএস | 125mOhm @ 15A, 10V |
| শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ) | 250W (Tc) | প্যাকেজ / কেস | TO-247-3 |
| প্যাকেজ | Tube | অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| মাউন্ট টাইপ | Through Hole | ইনপুট ক্যাপ্যাসিট্যান্স (সিস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস | 2600 pF @ 100 V |
| গেট চার্জ (QG) (সর্বোচ্চ) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | FET প্রকার | N-Channel |
| FET বৈশিষ্ট্য | - | ড্রাইভ ভোল্টেজ (উপর Max Rds, উপর Min Rds) | 10V |
| উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss) | 600 V | বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেলসিয়াস | 29A (Tc) |
| বেস পণ্য নম্বর | SIHG30 | ||
| ডাউনলোড | SIHG30N60E-E3 PDF - EN.pdf | ||
আমাদের ইমেল করুন: Info@Ariat-Tech.com বা আরএফকিউ এSIHG30N60E-E3 অনলাইন।
| SIHG30N60E-E3 স্টক | SIHG30N60E-E3 দাম | SIHG30N60E-E3 ইলেকট্রনিক্স |
| SIHG30N60E-E3 উপাদান | SIHG30N60E-E3 ইনভেন্টরি | SIHG30N60E-E3 ডিজিটিকে |
| সরবরাহকারী SIHG30N60E-E3 | অর্ডার করুন SIHG30N60E-E3 অনলাইন | অনুসন্ধান SIHG30N60E-E3 |
| SIHG30N60E-E3 চিত্র | SIHG30N60E-E3 ছবি | SIHG30N60E-E3 পিডিএফ |
| SIHG30N60E-E3 ডেটাশিট | SIHG30N60E-E3 ডেটাশিট ডাউনলোড করুন | প্রস্তুতকারক Vishay / Siliconix |
